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SUM110N05-06L
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
250
250
200
150
100
V GS = 10 thru 5 V
4V
200
150
100
50
50
T C = 125 °C
25 °C
0
2, 3 V
0
- 55 °C
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
5
6
200
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Output Characteristics
0.015
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Transfer Characteristics
160
120
T C = - 55 °C
25 °C
125 °C
0.012
0.009
V GS = 4.5 V
80
40
0
0.006
0.003
0.000
V GS = 10 V
0
15
30
45
60
75
90
0
20
40
60
80
100
120
5000
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Transconductance
20
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
4000
3000
2000
C rss
C iss
16
12
8
V GS = 30 V
I D = 110 A
1000
0
C oss
4
0
0
11
22
33
44
55
0
20
40
60
80
100
120
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
Document Number: 72005
S-80108-Rev. C, 21-Jan-08
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
www.vishay.com
3
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